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Unidade:
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Escola Politécnica |
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Modalidade:
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Difusão |
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Tipo:
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Presencial |
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Público Alvo:
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Alunos de graduação na modalidade optativa, comunidade USP e profissionais da indústria da área de tecnologia, processos e projetistas de circuitos integrados e pesquisadores em áreas afins com a microeletrônica/nanoeletrônica. |
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Objetivo:
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Os transistores são as células fundamentais para o projeto de circuitos integrados digitais e analógicos. O MOSFET tem sido o transistor utilizado nas tecnologias convencionais até o nó tecnológico de 28 nm. Abaixo deste valor, foi necessário a utilização de transistores mais avançados tais como o UTBB SOI MOSFET (Ultra-Thin Body and Box, Silicon-On- Insulator) utilizado atualmente pela STMicroelectronics, Global Fondries e Samsung, além dos transistores verticais (Fin-FET - 3D) utilizados pela Intel, IBM e TSMC. Como o estudo básico de graduação e pós-graduação foca muito no transistor MOS convencional, fica uma lacuna de formação quando os profissionais (projetistas de circuitos integrados e outros) e alunos de pós-graduação precisam utilizar dispositivos avançados de tecnologia de 22 nm ou menores, onde o UTBB SOI e alternativamente o FinFET são utilizados nas indústrias de ponta. |
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Pré-requisito Graduação:
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Não |
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Área de Conhecimento:
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Engenharia Elétrica
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